昆山欣谷微电子申请一种 TFT 金属膜蚀刻液的使用方法专利，能够降低蚀刻成本并保证优异的蚀刻效果

金融界 2025 年 4 月 25 日消息，国家知识产权局信息显示，昆山欣谷微电子材料有限公司申请一项名为“一种 TFT 金属膜蚀刻液的使用方法”的专利，公开号 CN119800361A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明属于金属膜蚀刻液技术领域，具体涉及一种 TFT 金属膜蚀刻液的使用方法，包括以下步骤：步骤一：通过薄膜沉积技术在基板上形成铜系金属膜；步骤二：通过旋涂、喷涂或浸渍方法将光刻胶涂覆在铜系金属膜上，随后通过特定光源对光刻胶进行曝光，将曝光后的基板放入显影液中进行显影处理；步骤三：配制蚀刻液，将显影后的基板放入蚀刻液中进行蚀刻处理。本发明通过优化蚀刻液中组分配比和选用合适的组分化合物，配合使用恰当的使用方法，能够降低蚀刻成本并保证优异的蚀刻效果。

天眼查资料显示，昆山欣谷微电子材料有限公司，成立于2008年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，昆山欣谷微电子材料有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目9次，专利信息81条，此外企业还拥有行政许可23个。

本文源自：金融界

作者：情报员