吉光半导体申请半导体激光器芯片及其制备方法专利，降低发散角、提高远场的光束质量

金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，吉光半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体激光器芯片及其制备方法”的专利，公开号CN119944434A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体激光器领域技术领域，尤其涉及一种半导体激光器芯片，在纵向方向自下而上包括依次堆叠的衬底、生长缓冲层、下波导层、有源层、上波导层、上包层、盖层；半导体激光器芯片的横向方向若干个宽度不同的电流注入区，和若干个宽度不同的离子注入区；两个两侧的离子注入区之间分布设置若干个电流注入区；离子注入区在纵向方向上穿透盖层和部分上包层；在盖层上形成脊波导结构；通过离子注入对脊波导结构进行处理，形成侧向啁啾电注入调制脊形波导结构；本发明所形成的啁啾电注入结构可以从增益与损耗方面调控各阶模式，可使得高阶模式的损耗会大于基模，最终达到减少高阶模式输出，降低发散角、提高远场的光束质量的效果。

天眼查资料显示，吉光半导体科技有限公司，成立于2020年，位于长春市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本140000万人民币。通过天眼查大数据分析，吉光半导体科技有限公司参与招投标项目109次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息103条，此外企业还拥有行政许可4个。

本文源自：金融界

作者：情报员