长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法等专利，降低半导体器件内部应力

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路及车辆”的专利，公开号CN 119789444 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明实施例公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路及车辆。该半导体器件包括位于器件核心区的单胞、第一电极结构和第二电极结构；单胞包括第一区域，单胞还包括相对设置的第一表面和第二表面；第一区域设置于第一表面；第一电极结构位于第一表面；第一电极结构和第一区域电连接；第一电极结构的边缘设置有阻挡结构，阻挡结构用于缓冲应力并阻挡应力传播；第二电极结构位于第二表面。本发明实施例的技术方案，降低了半导体器件的内部应力，防止了半导体器件开裂，提高了半导体器件的可靠性。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币，实缴资本104000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目22次，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可15个。

本文源自：金融界

作者：情报员