拓荆创益申请射频功率调节专利，提升射频干扰抑制效果

金融界 2025 年 5 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，北京理工大学;拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“射频功率的调节系统及其调节方法和半导体工艺设备”的专利，公开号 CN119905381A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种射频功率的调节系统及其调节方法和半导体工艺设备。该调节系统包括：干扰监测模块，获取反应腔内的射频功率的时域信号，并基于时域信号的频域特性获取干扰数据；自适应控制模块，以干扰数据作为状态输入变量，通过学习最优策略更新动作输出变量，并基于干扰抑制和能耗的目标函数，确定出最优动作输出变量，其中，动作输出变量包括频率调节量、幅值调节量和脉宽调节量；以及反馈调节模块，基于最优动作输出变量，动态调节反应腔内的多个工艺参数以使多个工艺参数到达目标工艺参数范围。本发明能够自适应地调整反应腔内的射频功率密度，实现干扰抑制与能耗的最佳动态平衡，从而提升射频干扰抑制效果、工艺稳定性及设备效率。

本文源自：金融界

作者：情报员