长鑫科技申请半导体结构及其形成方法专利，解决半导体结构制作问题

金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN119890138A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括：提供第一介质层；在第一介质层上形成第一保护层以及位于第一保护层上的导电层；去除部分导电层，形成贯穿导电层并暴露第一保护层的多个空腔；空腔将导电层划分为多个导电结构；在空腔中形成牺牲层；在牺牲层以及导电结构上形成第二保护层；去除牺牲层上的部分第二保护层，形成暴露牺牲层的开口；从开口去除牺牲层。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息225条，专利信息356条，此外企业还拥有行政许可28个。

本文源自：金融界

作者：情报员