爱思开海力士申请堆叠型半导体存储装置及其制造方法专利，提升半导体存储性能

金融界2025年5月1日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“堆叠型半导体存储装置及其制造方法”的专利，公开号CN119893990A，申请日期为2024年2月。

专利摘要显示，本公开涉及堆叠型半导体存储装置及其制造方法。堆叠型半导体存储装置可以包括第一结构和第二结构。第一结构可以包括第一衬底、电容器阵列和第一键合层。第一衬底可以具有上表面和下表面。电容器阵列可以包括集成在第一衬底的上表面上的多个电容器。第一键合层可以形成在电容器阵列上。第二结构可以包括第二衬底、存取阵列和第二键合层。第二衬底可以具有上表面和下表面。存取阵列可以包括集成在第二衬底的上表面上的多个存取晶体管。第二键合层可以形成在第二衬底的下表面上。第二键合层可以混合键合到第一键合层。

本文源自：金融界

作者：情报员