艾华半导体申请多腔体真空镀膜设备配方系统及控制方法专利，可有效缩小设备体积

金融界2025年5月5日消息，国家知识产权局信息显示，艾华（无锡）半导体科技有限公司申请一项名为“一种多腔体真空镀膜设备配方系统及控制方法”的专利，公开号CN119913457A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明是一种多腔体真空镀膜设备配方系统及控制方法，包括两个或以上工艺腔、一套源系统和一套真空系统，源系统连接每个工艺腔，一套真空系统分别通过两个泵系统与每个工艺腔都连接，其中一个泵系统用于将工艺腔抽至高真空，另一个泵系统用于支持工艺腔进行工艺。控制方法是，除第一个工艺腔外，每个工艺腔工艺开始前，先等待金属舟进炉，然后在配方系统正在进行的周期结束时开始工艺。本发明的优点：结构和方法设计合理，可通过一套供源系统和真空系统实现同时运行多腔工艺作业，可有效缩小设备体积，减小空间占用，降低使用成本。

天眼查资料显示，艾华（无锡）半导体科技有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本7400万人民币。通过天眼查大数据分析，艾华（无锡）半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息7条，专利信息51条，此外企业还拥有行政许可14个。

本文源自：金融界

作者：情报员