上海积塔半导体申请改善光刻胶层形貌的方法以及半导体器件的制备方法专利，减小 CD 白边

金融界 2025 年 5 月 5 日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“改善光刻胶层形貌的方法以及半导体器件的制备方法”的专利，公开号 CN119916646A，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本发明提供的一种改善光刻胶层形貌的方法以及半导体器件的制备方法，在面临需要特定增厚的光刻胶层的工艺中，选择涂双层光刻胶的方法，利用第一光刻胶层和第二光刻胶层具有的不同折光率 n 和吸光率 k 的性质，以及通过合理控制第一光刻胶层和第二光刻胶层的厚度，使得经过曝光和显影处理之后的形成的第一沟槽的侧面形貌变得更为垂直，减小 CD 白边，解决了光刻过程中光刻胶层增厚的要求并能够减少第一沟槽的底部光刻胶残留的问题，从而更加有利于后续的刻蚀工艺，同时，第一光刻胶层和第二光刻胶层允许在光刻过程中使用不同性质的光刻胶，从而能够适应不同工艺的要求，为后续刻蚀工艺奠定基础，进而提升形成的器件的质量和稳定性。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1793次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1042条，此外企业还拥有行政许可191个。

本文源自：金融界

作者：情报员