南亚科技申请具有渐缩侧壁的衬层的半导体元件结构及其制备方法专利，提升半导体元件性能

金融界2025年4月26日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有渐缩侧壁的衬层的半导体元件结构及其制备方法”的专利，公开号CN119864341A，申请日期为2024年1月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件结构，包括设置于一半导体基板之上的一第一介电层；设置于该第一介电层之上的一第二介电层；设置于该第二介电层之上的一第三介电层；设置于该第二介电层中的一间隔结构；设置于该第三介电层中的一导电结构，其穿过该第二介电层，并延伸至该第一介电层中，其中该导电结构被该间隔结构围绕；将该导电结构与该第一介电层、该第二介电层、和该间隔结构分开的一衬层，其中该衬层具有与该第一介电层直接接触的一渐缩侧壁；设置于该导电结构之上的一内硅化物部分；围绕该内硅化物部分并覆盖该衬层的一外硅化物部分；以及设置于该内硅化物部分和该外硅化物部分之上的一较高插塞。

本文源自：金融界

作者：情报员