长江存储申请半导体结构相关专利，提升半导体结构的产品性能

金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN119890143A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制备方法、存储系统，该半导体结构包括沿第一方向依次堆叠的第一器件层、第一互连层、第一键合层、第二键合层、第二互连层及第二器件层，在第一方向上，第一键合层与第二键合层键合固定，第一键合层的材料包含与第一互连层的材料相异的元素；本申请通过在第一方向上使第一键合层与第二键合层键合固定，第一键合层的材料包含与第一互连层的材料相异的元素，增强第一键合层与第二键合层之间的键合强度的同时，至少减少了第一键合层内的金属材料的扩散，提升了半导体结构的产品性能。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1380次，财产线索方面有商标信息971条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

本文源自：金融界

作者：情报员