应用材料公司申请用于预防通孔孔隙的中段工艺介电层工程专利，制造具有较少通孔孔隙的半导体器件

金融界2025年5月5日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于预防通孔孔隙的中段工艺介电层工程”的专利，公开号CN119923720A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本公开内容的实施方式提供了一种用于制造具有较少通孔孔隙(例如，半导体器件的介电层与金属填充物之间的间隙)的半导体器件的方法。一种此类技术涉及形成介电层，其中该介电层的至少一部分包含非化学计量的化合物；在该介电层中形成一个或多个开口；用金属填充该一个或多个开口，其中该金属设置在该一个或多个开口中的每个开口的表面上；以及将介电层和设置在开口中的金属暴露于氧化气氛，其中暴露介电层和所述开口中的金属会引起非化学计量的化合物的氧化。

本文源自：金融界

作者：情报员