北京中科新微特申请集成功率场效应晶体管专利，能够降低内部体二极管的影响

金融界 2025 年 4 月 23 日消息，国家知识产权局信息显示，北京中科新微特科技开发股份有限公司申请一项名为“集成功率场效应晶体管”的专利，公开号 CN119815911A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本申请公开了一种集成功率场效应晶体管，包括沿第一方向层叠设置的栅极结构层、导电结构层、外延层和衬底层，导电结构层包括第一导电结构区、JFET 区和第二导电结构区，JFET 区在第二方向上设于第一导电结构区和第二导电结构区之间，第一导电结构区内具有第一沟道区和肖特基接触层，肖特基接触层、第一沟道区与 JFET 区相连接在第二方向上依次连接，肖特基接触层设于第一导电结构区的靠近栅极结构层的表面；其中，衬底层、外延层与 JFET 区具有第一导电类型，第一导电结构区具有第二导电类型，第二导电结构区具有第一导电类型和第二导电类型。本申请的集成功率场效应晶体管，能够降低内部体二极管的影响，具有较高的功率密度和可靠性。

天眼查资料显示，北京中科新微特科技开发股份有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本8499万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中科新微特科技开发股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目48次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息78条，此外企业还拥有行政许可5个。

本文源自：金融界

作者：情报员