得一微电子申请 Flash 存储器数据校验专利，准确判断 Flash 数据写操作是否出错

金融界 2025 年 4 月 23 日消息，国家知识产权局信息显示，得一微电子股份有限公司申请一项名为“Flash 存储器的数据校验方法、装置、设备及介质”的专利，公开号 CN119806891A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本涉及数据处理领域，公开了一种 Flash 存储器的数据校验方法、装置、设备及介质，所述方法包括：对 Flash 存储器发送写数据命令，并获取所述 Flash 存储器写数据时各存储单元对应的页面数据的第一循环冗余校验码；基于循环冗余校验算法计算 Flash 缓存区域中各存储单元对应的页面数据的第二循环冗余校验码；判断第一循环冗余校验码与第二循环冗余校验码是否一致；若第一循环冗余校验码与第二循环冗余校验码一致，则所述Flash 存储器写入的数据正确，否则，所述Flash 存储器写入的数据错误。本发明所述方法可以准确的判断 Flash 数据写操作的过程中是否出现错误。

天眼查资料显示，得一微电子股份有限公司，成立于2017年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本7062万人民币。通过天眼查大数据分析，得一微电子股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息131条，专利信息125条，此外企业还拥有行政许可17个。

本文源自：金融界

作者：情报员